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型号 SI2304DDS-T1-GE3
厂商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23
SI2304DDS-T1-GE3 PDF
代理商 SI2304DDS-T1-GE3
标准包装 1
系列 TrenchFET®
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 3.3A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 60 毫欧 @ 3.2A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 2.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 6.7nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 235pF @ 15V
功率 - 最大 1.7W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装 SOT-23-3（TO-236）
包装 标准包装
其它名称 SI2304DDS-T1-GE3DKR
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